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FQU17P06TU中文资料

FQU17P06TU图片

FQU17P06TU外观图

  • 大小:682.2KB
  • 厂家:Fairchild Semiconductor
  • 描述: MOSFET Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-60V; Continuous Drain Current, Id:-12A; On Resistance, Rds(on):135mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:3-IPAK ;RoHS Compliant: Yes
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:70
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:135 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:900pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.5W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装:I-Pak
  • 包装:管件

FQU17P06TU供应商

更新时间:2023-01-19 00:35:13
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